SIHG20N50C ماسفت DIP

Name: SIHG20N50C ماسفت DIP
SKU: 210892
Price: 3650000 IRR
Availability: InStock

تومان ۳۶۵,۰۰۰

MOSFET N-CHANNEL

500V 20A 208W

کیفیت:اورجینال

وضعیت:نو

برند:VISHAY

۴۰ در انبار

Quantity	Discount (%)	Price
1 - 9	—	تومان 365,000
10 - 99	4.38 %	تومان 349,000
100+	4.93 %	تومان 347,000

شناسه محصول: 210892 دسته: MOSFET, ترانزیستور, قطعات برچسب: #MOSFET, 20N50, SIHG20N50C

توضیحات
نظرات (۰)

SIHG20N50C ماسفت DIP

ترانزیستور – توان بالا و کارایی عالی

ترانزیستور یکی از MOSFETهای قدرتمند و پرکاربرد شرکت Vishay است که با طراحی کانال N برای کاربردهای توان بالا، منابع تغذیه سوئیچینگ و اینورترها ساخته شده است.

این قطعه با ولتاژ و جریان بالا، عملکردی پایدار و مطمئن در شرایط کاری سخت ارائه می‌دهد.

استفاده از SIHG20N50C در مدارهای قدرت، باعث افزایش بازدهی، کاهش حرارت و بهبود راندمان کلی سیستم می‌شود.

ویژگی‌های فنی SIHG20N50C

MOSFET دارای ولتاژ درین-سورس 500 ولت و جریان درین 20 آمپر است. مقاومت پایین در حالت روشن (Rds(on)) سبب کاهش تلفات توان و افزایش کارایی مدار می‌شود.

این ترانزیستور در بسته‌بندی TO-247 ارائه می‌شود که امکان خنک‌سازی بهتر و نصب آسان در مدارهای صنعتی را فراهم می‌کند.

علاوه بر این، سرعت سوئیچینگ بالا و توان هدررفت مناسب، استفاده از این را در مدارهای فرکانس بالا بسیار مؤثر می‌سازد.

کاربردهای ترانزیستور SIHG20N50C

MOSFET SIHG20N50C در بسیاری از پروژه‌ها و دستگاه‌های الکترونیکی با توان متوسط و بالا مورد استفاده قرار می‌گیرد، از جمله:

منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
درایور موتورهای DC و AC
مبدل‌های DC-DC و DC-AC
سیستم‌های روشنایی LED صنعتی
تجهیزات UPS و کنترل توان

مزایای استفاده از SIHG20N50C

به دلیل مقاومت پایین، پایداری حرارتی بالا و سرعت سوئیچینگ عالی، ترانزیستور انتخابی ایده‌آل برای مدارهای قدرت است.

این قطعه موجب افزایش طول عمر تجهیزات و کاهش هزینه‌های نگهداری می‌شود. علاوه بر این، در طراحی سیستم‌هایی که به راندمان بالا و اطمینان عملکرد نیاز دارند،

استفاده از باعث بهبود چشمگیر کیفیت و بهره‌وری می‌گردد.

خرید ترانزیستور SIHG20N50C

فروشگاه ما ترانزیستور را با قیمت مناسب، کیفیت تضمین‌شده و ارسال سریع عرضه می‌کند.

این محصول برای مهندسان، تعمیرکاران و تولیدکنندگان تجهیزات الکترونیکی انتخابی مطمئن است.

با استفاده از SIHG20N50C، مدارهای شما با کارایی بالا، تلفات پایین و عملکرد پایدار کار خواهند کرد.

ویژگی	مقدار
نوع	MOSFET کانال N
ولتاژ درین-سورس (Vds)	500 ولت
جریان درین (Id)	20 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on))	0.27 اهم
ولتاژ آستانه گیت-سورس (Vgs(th))	4 ولت
توان هدررفت (Pd)	208 وات
بسته‌بندی	TO-247
دمای کاری	-55 تا +150 درجه سانتی‌گراد
نوع درایو	Enhancement Mode
کاربردها	منابع تغذیه، درایور موتور، اینورتر، سیستم روشنایی LED، UPS، کنترل توان