IKW35N65WR5 آی جی بی تی 35N65 IGBT

IKW35N65WR5؛ آی‌جی‌بی‌تی 650 ولت و 35 آمپر

یک ترانزیستور قدرت IGBT از خانواده TRENCHSTOP™ 5 WR5 شرکت Infineon است که با دیود هرزگرد داخلی (Reverse Conducting) طراحی شده است. این قطعه برای مدارهای سوئیچینگ توان بالا، اینورترها، منابع تغذیه، دستگاه‌های جوش، UPS و سیستم‌های خورشیدی کاربرد گسترده‌ای دارد.

ولتاژ قابل تحمل این مدل 650 ولت است و جریان نامی آن 35 آمپر در دمای 100 درجه سانتی‌گراد محسوب می‌شود. علاوه بر این، فناوری TRENCHSTOP™ 5 باعث کاهش تلفات سوئیچینگ و افت ولتاژ اشباع می‌شود. به همین دلیل، IKW35N65WR5 برای مدارهایی با فرکانس کاری حدود 20 تا 60 کیلوهرتز گزینه‌ای مناسب به شمار می‌رود.

مشخصات فنی IKW35N65WR5

ویژگی	مشخصات
شماره قطعه	IKW35N65WR5
سازنده	Infineon
نوع قطعه	Reverse Conducting IGBT
فناوری	TRENCHSTOP™ 5 WR5
ولتاژ Collector-Emitter	650V
جریان نامی در 100°C	35A
جریان در 25°C	70A
جریان پالسی	105A
دیود داخلی	دارد
ولتاژ اشباع VCE(sat)	حدود 1.4V
فرکانس کاری پیشنهادی	20 تا 60kHz
حداکثر ولتاژ Gate-Emitter	±20V
شارژ گیت	حدود 175nC
توان تلفاتی	حدود 205W
دمای کاری پیوند	40- تا 175+ °C
پکیج	TO-247-3
نوع نصب	Through-Hole

کاربردهای IKW35N65WR5

این IGBT برای مدارهای قدرتی طراحی شده که علاوه بر تحمل ولتاژ بالا، به راندمان مناسب در سوئیچینگ نیز نیاز دارند. بنابراین، در بسیاری از تجهیزات صنعتی از آن استفاده می‌شود.

منابع تغذیه سوئیچینگ

در مدارهای AC-DC و DC-DC، این قطعه می‌تواند عملکرد پایداری ارائه دهد. همچنین، افت ولتاژ پایین باعث کاهش تلفات حرارتی می‌شود.

اینورتر و UPS

اینورترهای خورشیدی، سیستم‌های UPS و تجهیزات تبدیل انرژی از دیگر کاربردهای رایج این مدل هستند. علاوه بر این، وجود دیود داخلی طراحی مدار را ساده‌تر می‌کند.

دستگاه جوش و PFC

مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC) و دستگاه‌های جوش اینورتر نیز از دیگر حوزه‌های استفاده این IGBT هستند. فناوری WR5 نیز برای چنین کاربردهایی بهینه شده است.

مزایای IKW35N65WR5

یکی از مهم‌ترین ویژگی‌های این قطعه، ترکیب 650 ولت با 35 آمپر است. در نتیجه، می‌توان از آن در بسیاری از مدارهای قدرت صنعتی استفاده کرد.

علاوه بر آن، فناوری TRENCHSTOP™ 5 باعث کاهش انرژی خاموش شدن (Eoff) و بهبود راندمان سوئیچینگ می‌شود. از طرف دیگر، ضریب دمایی مثبت VCE(sat) امکان موازی کردن چند قطعه را آسان‌تر می‌کند.

همچنین، دیود داخلی سریع باعث بهبود عملکرد مدار در کاربردهای اینورتر و مبدل‌های قدرت می‌شود. 35N65

عملکرد گیت و سوئیچینگ

حداکثر ولتاژ مجاز بین گیت و امیتر ±20 ولت است. با این حال، برای دستیابی به بهترین عملکرد، معمولاً از درایو گیت حدود 15 ولت استفاده می‌شود.

شارژ گیت حدود 175 نانوکولن است؛ بنابراین، انتخاب درایور مناسب اهمیت زیادی دارد. علاوه بر این، کنترل صحیح مقاومت گیت می‌تواند نویز سوئیچینگ را کاهش دهد.

دیود داخلی و ویژگی Reverse Conducting

برخلاف بسیاری از IGBTهای معمولی، این مدل دارای دیود هرزگرد داخلی است. در نتیجه، نیاز به استفاده از دیود خارجی در بسیاری از طراحی‌ها کاهش پیدا می‌کند.

همچنین، دیود داخلی برای کاربردهای PFC، UPS، اینورترهای خورشیدی و تجهیزات جوش بهینه شده است و عملکرد مناسبی در سوئیچینگ سریع ارائه می‌دهد.

جایگزین IKW35N65WR5

هنگام انتخاب جایگزین، بهتر است ولتاژ، جریان، نوع فناوری، مشخصات دیود داخلی، پکیج و پارامترهای سوئیچینگ با نمونه اصلی مقایسه شوند.

برخی مدل‌های نزدیک عبارت‌اند از:

IKW30N65WR5
IKW40N65WR5
IKW50N65WR5

البته پیش از جایگزینی باید شرایط واقعی مدار بررسی شود.

نکات مهم هنگام نصب

پکیج TO-247 انتقال حرارت مناسبی فراهم می‌کند؛ با این حال، استفاده از هیت‌سینک مناسب همچنان ضروری است. همچنین، خمیر حرارتی می‌تواند انتقال گرما را بهبود دهد. 35N65

از طرف دیگر، کوتاه نگه داشتن مسیرهای گیت و قدرت به کاهش اندوکتانس ناخواسته کمک می‌کند و عملکرد سوئیچینگ را پایدارتر می‌سازد.

جمع‌بندی

IKW35N65WR5 یک IGBT قدرت 650 ولت و 35 آمپر با فناوری TRENCHSTOP™ 5 WR5 است که برای اینورترها، منابع تغذیه، UPS، دستگاه‌های جوش و سیستم‌های خورشیدی طراحی شده است. وجود دیود داخلی، افت ولتاژ اشباع پایین، راندمان مناسب در فرکانس 20 تا 60 کیلوهرتز و پکیج TO-247 از مهم‌ترین ویژگی‌های این محصول محسوب می‌شوند. 35N65

http://www.torob.com

https://electronicsigma.com/2024/05/21/%d8%aa%d8%b1%d8%a7%d9%86%d8%b2%db%8c%d8%b3%d8%aa%d9%88%d8%b1